1、计算与控制电路

(1) CPU

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 BM3803MGRH 70MHz主频SPARC V8指令集微处理器 √ CPGA391 服役
2 BM3803FMGRH 100MHz主频SPARC V8指令集微处理器 √ CPGA391 服役
3 BM3108MG 400MHz主频异构多核微处理器：1个SPARC V8内核；12个DSP内核；浮点运算性能：16GFOPS -- PGA391 在研
4 BM3823MGRH 300MHz主频SPARC V8指令集微处理器 √ CBGA572 在研
5 BMPT1-100 基于BM3803的系统开发板，提供CPCI接口 -- -- 完成研制
6 BMPT4-100 基于BM3803的多功能开发板，支持CPCI总线扩展、ISA总线子集扩展 -- -- 完成研制

(2) SOPC

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 BM3109IB 集成SPARC V8内核和30万门FPGA的可编程片上系统 -- BGA416 服役
2 BMMN1-100 基于BM3109的系统开发板 -- -- 完成研制

(3) MCU

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 BSC80C32ERH 30MHz 主频MCS-51指令集微控制器 -- DIP40 服役
2 B89C51S 内嵌FLASH的MCS-51指令集微控制器 -- DIP40 服役
3 B8097 16位MCS-96指令集微控制器 -- PGA68 完成研制

(4) DSP

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 B320C32 32位数字信号处理器 -- QFP144 服役
2 LCDSP0102 采用6713指令集，系统工作频率≤200MHz； 供电电压：IO电压3.3V，内核电压1.2V； 工作功耗＜2W； 处理能力：1200MFLOPS，1600MIPS； -- CBGA484 完成研制

(5) 1553B bus controller

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 LHB63825D 抗辐射1Mbps 1553B 总线控制器；输入电压：5V；时钟输入：16MHz/12MHz √ PGA70 完成研制
2 LHB155301 1Mbps 1553B总线控制器；输入电压：5V；时钟输入：16MHz/12MHz -- PGA70 完成研制
3 LHB155304 4Mbps 1553B 总线控制器；输入电压：3.3V；时钟输入：16MHz/12MHz -- MCP68N 完成研制
4 LHB155310 抗辐射10Mbps 1553B 总线控制器；输入电压：5V(模拟)，3.3V(数字)；时钟输入：30MHz √ PGA70 服役
5 LS-HFT1553V3 1Mbps 1553B 总线控制器；输入电压：3.3V；时钟输入：16MHz/12MHz -- PGA68 完成研制

(6) SOC

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 LC801E 处理器核：兼容工业标准8051处理器；
供电电压：1.8V（内核），3.3V（IO）；
系统工作频率≤50MHz；功耗＜1W 		√ CBGA324 服役
2 LCSOC3233 兼容SPARC V8指令系统；
支持单、双精度的浮点运算;
供电电压:3.3V（IO）1.8V（内核）;
工作频率≤100MHz；功耗≤1.5W 		√ CPGA391 服役
3 LCSOC3201 兼容SPARC V8指令系统；支持单、双精度的浮点运算；供电电压:3.3V（IO）1.2V（内核）；
工作频率≤125MHz；功耗≤1.5W ?		 -- CQFP240 服役
4 LCSOC3202 兼容SPARC V8指令系统；支持单、双精度的浮点运算；供电电压:3.3V（IO）1.2V（内核）；
工作频率≤130MHz；功耗≤1.5W 		-- CBGA324 完成研制
5 LCSOC3232 兼容SPARC V8指令系统；支持单、双精度的浮点运算；供电电压:3.3V（IO）1.2V（内核）；
工作频率≤200MHz；功耗≤1.5W 		-- CQFP240 完成研制

(7) SiP

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 lSCCU01 中央处理单元模块；内核采用基于SPARC V8的抗辐射 LCSOC3233，外部扩展为CAN总线、1553B总线、2 MB SRAM、8MB Flash等。 √ PGA220B 服役
2 LSMEU01 嵌入式管理执行单元模块；以抗辐照MCU LC801E为内核，外部扩展CAN总线驱动器，512 KB SRAM, 64 KB FLASH, AD与DA的放大电路及OC指令驱动电路等。 √ PGA192B 服役
3 LMAD64 多通道AD平滑采集模块；采用64路模拟量通道的智能化采集功能；
模拟量通道差分输入范围：-10V～+10V；
数据总线接口：8/16 Bit；
VDigital: 5VD；VAnalog: 5VA，±15V 		√ PGA192B 服役
4 LMSIU64 安全指令模块；采用ASIC芯片作为指令控制器，抗辐射KG25A作为指令驱动芯片；? IDrive≤ 200mA; VSaturation≤ 1.5V √ PGA104 服役
5 LMPIU08 控温管理模块；通过MCM封装控制8路温度指令输出；DS端口:8/16位；8路温度控制指令；
指令负载电压:≤+55V；饱和压降:≤1.5V		 -- PGA56 完成研制

2、可编程逻辑电路

(1) FPGA

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 BQR5VSX95T 950万等效门，最高工作频率：400MHz √ CCGA1136 在研
2 BQR2V6000 600万等效门，最高工作频率：300MHz √ CCGA1144 服役
3 BQR2V3000 300万等效门，最高工作频率：300MHz √ CCGA717 服役
4 BQR2V1000 100万等效门，最高工作频率：300MHz √ CBGA575 服役
5 BQVR300RH 30万等效门，最高工作频率：180MHz √ CQFP228 服役
6 B4013E/
B4013EG/
B4013EC 		1.3万等效门，最高工作频率：80MHz -- CPGA223
CPGA141
CLCC132 		服役
7 BQ2V6000/
BQ2V6000BG1152		 600万等效门，最高工作频率：300MHz -- CCGA1144
PBGA1152		 完成研制
8 BQ2V3000/
BQ2V3000BG728		 300万等效门，最高工作频率：300MHz -- CCGA717
PBGA728		 完成研制
9 BQ2V1000BG456/
BQ2V1000		 100万等效门，最高工作频率：300MHz -- PBGA456
CBGA575		 服役
10 BQV600 60万等效门，最高工作频率：180MHz -- CQFP228 服役
11 BQV300CQ240A/
BQV300CQ228/
BQV300BG		 30万等效门，最高工作频率：180MHz -- CQFP240
CQFP228
PBGA352		 服役

(2) FPGA智能刷新控制器

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 BSV2CQRH 控制FPGA刷新的二代智能刷新控制器 √ CQFP48 服役
2 BSV1 控制FPGA刷新的一代智能刷新控制器 √ CLCC44/CQFP44 服役

(3) FPGA配置用可编程存储器

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 BCF32P 容量: 32M bits -- CSOP48/FS48 在研
2 BCF16P 容量: 16M bits -- CSOP48/FS48 在研
3 BCF08P 容量: 8M bits -- CSOP48/FS48 在研
4 BQ18V04CL
BQ18V04CQ		 容量: 4M bits -- CLCC44
CQFP44		 服役

(4) 混合信号FPGA

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 BAF1000 100万门FPGA+ADC+DAC+PROM -- PBGA256 完成研制

3、数据存储

(1) SRAM

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 B8CR1M39RH 异步单端口，容量1M×39 Bits，读取时间：20ns √ CQFP84 完成研制
2 B8CR1M32RH 异步单端口，容量1M×32 Bits，读取时间：20ns √ CQFP84 完成研制
3 B8CR2M32RH 异步单端口，容量2M×32 Bits，读取时间：20ns √ CQFP84 完成研制
4 B8R512K39RH 异步单端口，容量512K×39 Bits，读取时间：2 √ CQFP84 完成研制
5 B8CR512K32RH 异步单端口，容量512K×32 Bits，读取时间：17ns √ CQFP68 完成研制
6 B8CR256K32RH 异步单端口，容量256K×32 Bits，读取时间：25ns √ CQFP68 服役
7 B8R512K8RH 异步单端口；容量：512K×8 Bits，读取时间：15ns √ CFP36 服役
8 B8R128K32RH 异步单端口；容量：128K×32 Bits，读取时间：15ns √ CQFP68 服役
9 B65608EARH 异步单端口，容量：128K×8 Bits，读取时间：45ns √ QFP68 服役
10 B7156ARH 异步单端口；容量：32K×8 Bits；读取时间：40ns √ DIP28 完成研制
11 B7134 异步双端口，容量：4K×8 Bits，读取时间：35ns -- DIP48 完成研制
12 B7133 异步双端口，容量：2K×16 Bits，读取时间：25ns -- LCC68 完成研制

(2) FIFO

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 B7206ARH 异步FIFO，容量：16K×9 Bits，读取时间：30ns √ DIP28 完成研制
2 B7204ARH 异步FIFO，容量：4K×9 Bits，读取时间：25ns √ DIP28 完成研制
3 BM2157MD 异步FIFO，容量：16K×9 Bits，读取时间：30ns -- DIP28 ?完成研制
4 B7207 异步FIFO，容量：32K×9 Bits，读取时间：30ns -- 待定 在研
5 B16C850BRH 带FIFO的增强型UART，容量256字节，工作频率16MHz √ QFP48 服役

(3) PROM

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 B28F1MLVRH 异步单端口，容量128K×8 Bits，读取时间：65ns √ 待定 在研
2 B28F256LVRH 异步单端口，容量32K×8 Bits，读取时间：65ns √ FP28 完成研制

4、数据传输

(1) 1553B总线

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 J61580R(B61580RH) 1553B总线通讯控制器，BC/RT/MT功能 √ MCP70 服役
2 B65170S6RH 1553B总线通讯控制器，RT功能 √ MCP70 服役
3 B63825RH 1553B总线通讯控制器，BC/RT/MT功能，存储器容量：16K×16 DIP70 BU-63825D3
Bits		 √ DIP70 完成研制
4 B64843RH 小型化1553B总线通讯控制器，BC/RT/MT功能 √ ?CQFP80 服役
5 B64703RH 小型化1553B总线通讯控制器，RT功能 √ CQFP80 服役
6 B61580/1 S3/S6 1553B总线通讯控制器，BC/RT/MT功能 -- MCP70 服役
7 B65170/1 S3/S6 1553B总线通讯控制器，RT功能 -- MCP70 服役
8 B1567CDT 1553B总线收发器，CMOS双通道 -- DIP20 服役
9 B1573 低电压1553B收发器，CMOS双通道 -- DIP20 完成研制
10 1553B Communication Evaluation Board A 基于TMS320F2812的1553B总线通讯控制板，面向高可靠嵌入式应用 -- -- 完成研制
11 1553B Communication Evaluation Board B 基于BM3101的1553B总线通讯控制板，实现10/100Mbps网络及USB2.0通讯 -- -- 完成研制
12 1553B Communication Evaluation Board C 支持PCI的1553B总线通讯控制板，以B61580/B61581为核心，提供PCI接口 -- -- 完成研制

(2) PCI总线

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 BM4801MBRH PCI总线接口芯片，时钟频率：33/70MHz √ CBGA360 完成研制

(3) Space Wire总线

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 BM4802MQRH SpaceWire通讯控制器，传输速率:2~100Mbps √ CQFP196 完成研制
2 BM4803MQRH SpaceWire路由器，传输速率:2~100Mbps √ CQFP196 完成研制

(4) Ethernet总线

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 BM4805MQRH 千兆以太网PHY芯片，10/100/1000M BASE-T √ 待定 在研

(5) LVDS接口

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 B54LVDS031RH
B54LVDS032RH 		5V四路LVDS差分发送器/接收器，转换速率：155Mbps √ FP16 服役
2 B54LVDSC031RH
B54LVDSC032RH 		带冷备份的5 V 四路L V D S 差分发送器/ 接收器， 转换速率：155Mbps √ FP16 完成研制
3 B54LVDS031LVRH
B54LVDS032LVRH 		3.3V四路LVDS差分发送器/接收器，转换速率：400Mbps √ FP16 服役
4 B54LVDS217RH
B54LVDS218RH		 LVDS串行器/并行器，时钟频率15MHz~75MHz，最高吞吐率：1.575Gbps √ FP48 完成研制
5 B54LVDS031
B54LVDS032		 5V四路LVDS差分发送器/接收器，转换速率：155Mbps -- FP16 服役
6 B54LVDS031LV
B54LVDS032LV		 3.3V四路LVDS差分发送器/接收器，转换速率：400Mbps -- FP16 服役

(6) 422接口

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 B26C31CERH
B26C32CERH		 RS422驱动/接收器，工作电压5.0V，最高数据速率：10Mbps √ DIP16
FP16 		服役
2 B26LV31TERH
B26LV32TERH		 RS422低压驱动/接收器，工作电压3.3V，最高数据速率：10Mbps √ FP16 服役
3 B26C31TF
B26C32TF		 RS422驱动/接收器，工作电压5.0V，最高数据速率：10Mbps -- FP16 服役

(7) SerDes接口

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 BLK2711MQ 2.5V电源供电，功耗低于550Mw，2.5Gbps串行数据传输速率，并行端支持16位数据 -- CQFP68 ?完成研制

5、信号采集与转换

(1) 模拟MUX

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 BM2119MG 通道数：64路，导通电阻：10KΩ √ PGA100 完成研制
2 BM2720MQRH 通道数：64路，0~5V输入，导通电阻：1KΩ √ CQFP80 完成研制
3 BM1840AMDRH/
BM1840AMFRH 		高压模拟开关，工作电压：±12V，通道数：16路，导通电阻：1KΩ，掉电输出高阻态 √ DIP28/CFP28 服役
4 BM4101ID 通道数：32路，输入模拟信号幅值：0~5.0V -- DIP48 完成研制

(2) ADC

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 B12D1000RH 双通道12位，采样频率1GSPS √ CCGA376 完成研制
2 B08D1500RH 双通道8位， 采样频率1.5GSPS √ CQFP128 完成研制
3 B083000RH 8位，采样频率3GSPS √ CQFP128 完成研制
4 B08D1000RH 双通道8位，采样频率1GSPS √ CQFP128 服役
5 B9288RH 双通道8位，采样频率100MSPS √ CQFP48 完成研制
6 B128S102RH 12位8串行通道，采样频率1MSPS √ CFP16 完成研制
7 B9245RH 12位，采样频率40MSPS √ LCC32 完成研制
8 B1401RH 14位，采样频率20MSPS √ CFP48 完成研制
9 B9240MGRH
B9240MQRH		 14位，采样频率10MSPS √ CPGA40
CQFP44		 完成研制
10 B9243AMG
B9243MGRH		 14位，采样频率3MSPS √ CPGA40 服役
11 B7892RH 10位，采样频率0.5MSPS √ DIP24 完成研制
12 B2543RH 12位11串行通道，采样率66KSPS √ DIP20 完成研制
13 B12D1000 双通道12位，采样频率1GSPS -- BGA292 完成研制
14 B08D1500 双通道8位，采样频率1.5GSPS -- CQFP128 服役
15 B083000 8位，采样频率3GSPS -- CQFP128 服役
16 B08D1000 双通道8位，采样频率1GSPS -- CQFP128 服役
17 B08D500 双通道8位，采样频率500MSPS -- CQFP128 服役
18 B2209 16位，采样频率100MSPS -- CQFP80 服役
19 B9288 双通道8位，采样频率100MSPS -- CQFP48 服役
20 B9245 14位，采样频率50MSPS -- CLCC32/QFN32 完成研制
21 B9243MG 14位，采样频率3MSPS -- CPGA40 服役
22 B9235-3 12位，采样频率50MSPS -- CLCC28/TSSOP28 完成研制
23 B9240MG 14位，采样频率10MSPS -- CPGA40 完成研制
24 B7892 10位，采样频率0.5MSPS -- DIP24 完成研制
25 B7687 16位，250KSPS AD转换器 -- CLCC16 完成研制

(3) DAC

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 B9739RH 14位，采样频率2.0GSPS √ CBGA160 完成研制
2 B9726RHQ 16位，采样频率400MSPS √ CQFP80 ?服役
3 B9122RH 16位，采样频率1GSPS √ CQFP72 完成研制
4 B9764MGRH 14位，采样频率120MSPS √ CPGA28 完成研制
5 B9762AMG 12位，采样频率120MSPS √ CPGA28 服役
6 B9762MGRH 12位，采样频率120MSPS √ CPGA28 服役
7 B9739 14位，采样频率2.5GSPS -- CBGA160 完成研制
8 B9726MQ 16位，采样频率400MSPS -- CQFP80 服役
9 B9764/B9762MG 14位/12位，采样频率120MSPS -- CLCC28
CPGA28		 完成研制
10 B9744/B9742 14位/12位，采样频率210MSPS -- CLCC28 完成研制
11 B5320/B5310 12位/10位，时钟频率30MSPS -- CSOP8 完成研制

6、电源

(1) DC/DC 变换器

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 LDCD/(20-50)-5-75/SP Vin(V):20-50;Vout (V):5;Pout(W):75 √ MbQ6438-12 在研
2 LDCD/(20-50)-5R-5/SP Vin(V):20-50;Vout (V):5;Pout(W):5 √ MQ2727-08 在研
3 LDCD/(20-50)-5R-12F/SP Vin (V):20-50; Vout (V):5; Pout(W):12 √ MQ3728-08 在研
4 LDCD/(20-50)-15-5F/D1 Vin (V):20-50; Vout (V):±15; Pout(W):5 √ MQ3728-08 在研
5 LDCD/(20-50)-5-1.5/SP Vin (V):20-50; Vout (V):5; Pout(W):1.5 √ MQ2520-08 在研
6 LDCD/(20-50)-12-1.5/SP Vin (V):20-50; Vout (V):12; Pout(W):1.5 √ MQ2520-08 在研
7 LDCD/(20-50)-5-1.5/D1 Vin(V):20-50; Vout (V):±5; Pout(W):1.5 √ MQ2727-08 在研
8 LDCD/(20-50)-12-1.5/D1 Vin (V):20-50; Vout (V):±12; Pout(W):1.5 √ MQ2727-08 在研
9 LDCD/(20-50)-12R-5/SP Vin (V):20-50; Vout (V):12; Pout(W):5 √ MQ2727-08 在研
10 LDCD/(20-50)-15R-5/SP Vin (V):20-50; Vout (V):15; Pout(W):5 √ MQ2727-08 在研
11 LDCD/(20-50)-5-5F/D1 Vin (V):20-50; Vout (V):±5; Pout(W):5 √ MQ3728-08 在研
12 LDCD/(20-50)-12-5F/D1 Vin (V):20-50; Vout (V):±12; Pout(W):5 √ MQ3728-08 在研
13 LDCD/(20-50)-3R3-8F/SP Vin (V):20-50; Vout (V):3.3; Pout(W):8 √ MQ3728-08 在研
14 LDCD/(20-50)-12R-15F/SP Vin (V):20-50; Vout (V):12; Pout(W):15 √ MQ3728-08 在研
15 LDCD/(20-50)-15R-15F/SP Vin (V):20-50; Vout (V):15; Pout(W):15 √ MQ3728-08 在研
16 LDCD/(20-50)-5-12F/D1 Vin (V):20-50; Vout (V):±5; Pout(W):12 √ MQ3728-08 在研
17 LDCD/(20-50)-12-15F/D1 Vin (V):20-50; Vout (V):±12; Pout(W):15 √ MQ3728-08 在研
18 LDCD/(20-50)-15-15F/D1 Vin (V):20-50; Vout (V):±15; Pout(W):15 √ MQ3728-08 在研
19 LDCD/(20-50)-512-15F/T1 Vin (V):20-50; Vout (V):5/±12; Pout(W):15 √ MQ4934-10 在研
20 LDCD/(20-50)-515-15F/T1 Vin (V):20-50; Vout (V):5/±15; Pout(W):15 √ MQ4934-10 在研
21 LDCD/(20-50)-5R-15V/SP Vin (V):20-50; Vout (V):5; Pout(W):15 √ MQ5328-10 在研
22 LDCD/(20-50)-12-15V/D1 Vin (V):20-50; Vout (V):±12; Pout(W):15 √ MQ5328-10 在研
23 LDCD/(20-50)-15-15V/D1 Vin (V):20-50; Vout (V):±15; Pout(W):15 √ MQ5328-10 在研
24 LDCD/(20-50)-3R3-20F/SP Vin (V):20-50; Vout (V):3.3; Pout(W):20 √ MQ5328-10 在研
25 LDCD/(20-50)-5-25F/SP Vin (V):20-50; Vout (V):5; Pout(W):25 √ MQ5328-10 在研
26 LDCD/(20-50)-12-30F/SP Vin (V):20-50; Vout (V):12; Pout(W):30 √ MQ5328-10 在研
27 LDCD/(20-50)-15-30F/SP Vin (V):20-50; Vout (V):15; Pout(W):30 √ MQ5328-10 在研
28 LDCD/(20-50)-5-25F/D1 Vin (V):20-50; Vout (V):±5; Pout(W):25 √ MQ5328-10 在研
29 LDCD/(20-50)-12-30F/D1 Vin (V):20-50; Vout (V):±12; Pout(W):30 √ MQ5328-10 在研
30 LDCD/(20-50)-512-30F/T1 Vin (V):20-50; Vout (V):5/±12; Pout(W):30 √ MQ4934-10 在研
31 LDCD/(20-50)-515-30F/T1 Vin (V):20-50; Vout (V):5/±15; Pout(W):30 √ MQ4934-10 在研
32 LDCD/(20-50)-5-50/SP Vin (V):20-50; Vout (V):5; Pout(W):50 √ MbQ6438-12 在研
33 LDCD/(20-50)-12-60/SP Vin (V):20-50; Vout (V):12; Pout(W):60 √ MbQ6438-12 在研
34 LDCD/(20-50)-15-65/SP Vin (V):20-50; Vout (V):15; Pout(W):65 √ MbQ6438-12 在研
35 LDCD/(20-50)-5-50/D1 Vin (V):20-50; Vout (V):±5; Pout(W):50 √ MbQ6438-12 在研
36 LDCD/(20-50)-12-60/D1 Vin (V):20-50; Vout (V):±12; Pout(W):60 √ MbQ6438-12 在研
37 LDCD/100-2R5-5/SP Vin (V):80-120; Vout (V):2.5; Pout(W):5 √ MQ3728-08 完成研制
38 LDCD/100-3R3-5/SP Vin (V):80-120; Vout (V):3.3; Pout(W):5 √ MQ3728-08 完成研制
39 LDCD/100-5-5/SP Vin (V):80-120; Vout (V):5; Pout(W):5 √ MQ3728-08 完成研制
40 LDCD/100-15-5/SP Vin (V):80-120; Vout (V):15; Pout(W):5 √ MQ3728-08 完成研制
41 LDCD/100-5-5/D1 Vin (V):80-120; Vout (V):±5; Pout(W):5 √ MQ3728-08 完成研制
42 LDCD/100-12-5/D1 Vin (V):80-120; Vout (V):±12; Pout(W):5 √ MQ3728-08 完成研制
43 LDCD/100-3R3-15/SP Vin (V):80-120; Vout (V):3.3; Pout(W):15 √ MQ5328-10 完成研制
44 LDCD/100-5R-15/SP Vin (V):80-120; Vout (V):5; Pout(W):15 √ MQ3728-08 完成研制
45 LDCD/100-12-15/SP Vin (V):80-120; Vout (V):12; Pout(W):15 √ MQ5328-10 完成研制
46 LDCD/100-28-15/SP Vin (V):80-120; Vout (V):28; Pout(W):15 √ MQ3728-08 完成研制
47 LDCD/100-12-15/D1 Vin (V):80-120; Vout (V):±12; Pout(W):15 √ MQ5328-10 完成研制
48 LDCD/100-15-15/D1 Vin (V):80-120; Vout (V):±15; Pout(W):15 √ MQ3728-08 完成研制
49 LDCD/100-3R3-20/SP Vin (V):80-120; Vout (V):3.3; Pout(W):20 √ MQ5328-10 完成研制
50 LDCD/100-5-20/SP Vin (V):80-120; Vout (V):5; Pout(W):20 √ MQ5328-10 完成研制
51 LDCD/100-12-20/D1 Vin (V):80-120; Vout (V):±12; Pout(W):20 √ MQ5328-10 完成研制
52 LDCD/100-15-20/D1 Vin (V):80-120; Vout (V):±15; Pout(W):20 √ MQ5328-10 完成研制
53 LDCD/100-512-20/T1 Vin (V):80-120; Vout (V):5/±12; Pout(W):20 √ MQ4934-10 完成研制
54 LDCD/100-5R-30/SP Vin (V):80-120; Vout (V):5; Pout(W):30 √ MbQ6438-12 完成研制
55 LDCD/100-12-30/SP Vin (V):80-120; Vout (V):12; Pout(W):30 √ MbQ6438-12 完成研制
56 LDCD/100-15-30/SP Vin (V):80-120; Vout (V):15; Pout(W):30 √ MbQ6438-12 完成研制
57 LDCD/100-5-30/D1 Vin (V):80-120; Vout (V):±5; Pout(W):30 √ MbQ6438-12 完成研制
58 LDCD/100-12-30/D1 Vin (V):80-120; Vout (V):±12; Pout(W):30 √ MbQ6438-12 完成研制
59 LDCD/100-512-30/T1 Vin (V):80-120; Vout (V):5/±12; Pout(W):30 √ MbQ6438-12 完成研制
60 LDCD/100-515-30/T1 Vin (V):80-120; Vout (V):5/±15; Pout(W):30 √ MbQ6438-12 完成研制
61 LDCD/100-28-65/SP Vin (V):80-120; Vout (V):28; Pout(W):65 √ MbQ6438-12 完成研制
62 LDCD/100-12-65/D1 Vin (V):80-120; Vout (V):±12; Pout(W):65 √ MbQ6438-12 完成研制
63 LDCD/100-15-65/D1 Vin (V):80-120; Vout (V):±15; Pout(W):65 √ MbQ6438-12 完成研制
64 LFE100-461-300 Vin (V):80-120;Iout(A):3 √ MbQ6438-12 完成研制
65 LFE100-461-100 Vin (V):80-120; Iout(A):1 √ MbQ6438-12 完成研制
66 LFE100-461-80 Vin (V):80-120; Iout(A):0.8 √ MQ3728-05 完成研制
67 LFE100-461-50 Vin (V):80-120; Iout(A):0.5 √ MQ3728-05 完成研制

(2) EMI滤波器

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 LFE/(20-50)-461-135 Vin (V):20-50; Iout(A):2.7; Pout(W):135 √ MQ5328-05 在研
2 LFE/(20-50)-461-500 Vin (V):20-50; Iout(A):10; Pout(W):500 √ MbQ6438-12 在研
3 LFE/(20-50)-461-40 Vin (V):20-50; Iout(A):0.8; Pout(W):40 √ MQ2520-08 在研
4 LFE/(20-50)-461-75 Vin (V):20-50; Iout(A):1.5; Pout(W):75 √ MQ3728-05 在研

(3) LDO

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 LPS75333 Vin(V):4.3～5.5;Vout(V):3.3;
Vleakage(V) ≤0.255;Iout(A)≤1.5		 √ CSOP18A 完成研制
2 LPS75318 Vin (V):2.8～5.5;Vout(V):1.8
V leakage(V) ≤0.255; Iout(A) ≤1.5		 √ CSOP18A 完成研制
3 LPS75315 Vin (V):2.7～5.5;Vout(V):1.5
V leakage(V) ≤0.255; Iout(A) ≤1.5		 √ CSOP18A 完成研制
4 LPS70345 Vin1 (V):4.3～5.0;Vin2(V):2.7～5.0
Vout1 (V):3.3;Vout2(V):1.2
V leakage(V) ≤0.255;Iout(A) 1≤1;2≤2		 √ CSOP24G 完成研制
5 LPS70302 Vin1 (V):2.7～5.0;Vin2(V):2.7～5.0
Vout1 (V):1.2～4.0;Vout2(V):1.2～4.0
V leakage(V)≤0.255;Iout(A)1≤1;2≤2		 √ CSOP24K 完成研制
6 LS883 Vin (V):2.7～11.5; Vout(V):1.25～11
Iquiescent : 30μa; Iout (A): 0.2		 √ D08S2 完成研制
7 LW2941 Vin (V)=Vout+2～26;Vout(V):5～20
Iquiescent : 40ma;Iout (A)= 1		 √ CSOP16 完成研制
8 LW5101-00 Vin (V)= Vout+1～26;Vout(V):1.25～25
Iout (A): 1.5		 √ FP10 完成研制
9 LW5101-5.0 Vin (V):6～26; Vout(V):5;Iout (A):1.5 √ FP10 完成研制
10 LW5115-00 Vin (V)= Vout+1～26;Vout (V)1.25～25
Iout (A):1.5		 √ TOP-TAB-S 完成研制
11 LW5230-1.5 Vin (V)= Vout +1～26;Vout (V):1.5;
Iout (A):3		 √ SMD-1 完成研制
12 LW5230-1.8 Vin (V)= Vout +1～26
Vout (V):1.8; Iout (A):3		 √ SMD-1 完成研制
13 LW5230-1.9 Vin (V)= Vout +1～26
Vout (V):1.9; Iout (A):3		 √ SMD-1 完成研制
14 LW5230-2.5 Vin (V)= Vout +1～26
Vout (V):2.5; Iout (A): 3		 √ SMD-1 完成研制
15 LW5230-3.3 Vin (V)= Vout +1～26
Vout (V):3.3; Iout (A):3		 √ SMD-1 完成研制
16 LW5230-5.0 Vin (V)= Vout +1～26;Vout (V):5; Iout (A):3 √ SMD-1 完成研制
17 LW5232-1.5G Vin (V)= Vout +1～26
Vout (V):1.5; Iout (A):3		 √ G 完成研制
18 LW5232-1.5TD Vin (V)= Vout +1～26
Vout (V):1.5; Iout (A):3		 √ TD 完成研制
19 LW5232-1.8G Vin (V)= Vout +1～26
Vout (V):1.8; Iout (A):3		 √ G 完成研制
20 LW5232-1.8TD Vin (V)= Vout +1～26
Vout (V):1.8; Iout (A):3		 √ TD 完成研制
21 LW5232-1.8TU Vin (V)= Vout +1～26
Vout (V): 1.8; Iout (A):3		 √ TU 完成研制
22 LW5232-1.9G Vin (V)= Vout +1～26
Vout (V): 1.9; Iout (A):3		 √ G 完成研制
23 LW5232-2.5G Vin (V)= Vout +1～26
Vout (V): 2.5; Iout (A):3		 √ G 完成研制
24 LW5232-2.5D Vin (V)= Vout +1～26
Vout (V): 2.5; Iout (A):3		 √ D 完成研制
25 LW5232-3.3D Vin (V)= Vout +1～26
Vout (V): 3.3; Iout (A):3		 √ D 完成研制
26 LW5232-3.3G Vin (V)= Vout +1～26
Vout (V): 3.3; Iout (A):3		 √ G 完成研制
27 LW5232-3.3TD Vin (V)= Vout +1～26
Vout (V): 3.3; Iout (A): 3		 √ TD 完成研制
28 LW5232-5.0G Vin (V)= Vout +1～26
Vout (V): 5; Iout (A):3		 √ G 完成研制
29 LW5275-1.5 Vin (V)= Vout +1～26
Vout (V): 1.5;Iout (A): 7.5		 √ SMD-1 完成研制
30 LW5275-2.5 Vin (V)= Vout +1～26
Vout (V): 2.5;Iout (A):7.5		 √ SMD-1 完成研制
31 LW5275-3.3 Vin (V)= Vout +1～26
Vout (V): 3.3;Iout (A): 7.5		 √ SMD-1 完成研制
32 LW5275-1.8 Vin (V)= Vout +1～26
Vout (V): 1.8;Iout (A): 7.5		 √ SMD-1 完成研制
33 LW5275-1.9 Vin (V)= Vout +1～26
Vout (V): 1.9;Iout (A):7.5		 √ SMD-1 完成研制
34 LW5275-5.0 Vin (V)= Vout +1～26
Vout (V): 5;Iout (A): 7.5		 √ SMD-1 完成研制
35 LW5275-12 Vin (V)= Vout +1～26
Vout (V):12;Iout (A):7.5		 √ SMD-1 完成研制
36 LW5332-5.0G Vin (V)= -8～-20
Vout (V): -5;Iout (A): -3		 √ G 完成研制
37 LW5215-1.8 Vin (V)= Vout +1～26
Vout (V):1.8;Iout (A):1.5		 √ SMD-1 完成研制
38 LW5215-3.3 Vin (V)= Vout +1～26
Vout (V):3.3;Iout (A):1.5		 √ SMD-1 完成研制

(4) 单片DC-DC

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 B50601RH 电源电压：3V~6.3V，峰值效率90%（Vo=3.3），输出电流3A，输出电压1V~4.5V，开关频率100kHz~1MHz可调内部振荡器 √ FP20 完成研制
2 MXT1117 电源电压：Vo+2V~9V，静态电流：10mA，输出电流1A，输出电压1.2V~5V，Dropout电压：2V，线性调整率：0.5%/V，负载调整率：0.001%/mA，电源纹波抑制比大于50dB -- SOT223 服役
3 B7H1101RH 电源电压：1.5V~7V，静态电流：10mA，输出电流3A，输出电压0.8V~6.5V，Dropout电压：0.5V，线性调整率：0.1%/V，负载调整率：1%/A，电源纹波抑制比大于40dB √ FP16 在研

(5) 电源监控

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 B705RH 电源电压：4.75V~5.5V，电源电流：小于500uA (VCC=5.5V)，复位脉冲宽度：140ms~280ms，看门狗超时周期：1s~2.25s，看门狗输入脉冲：大于50ns，手动复位脉冲宽度：大于150ns，手动复位输出延迟：小于100ns，复位输出：低电平有效 √ FP8 完成研制
2 B813LRH 电源电压：4.75V~5.5V，电源电流：小于500uA (VCC=5.5V)，复位脉冲宽度：140ms~280ms，看门狗超时周期：1s~2.25s，看门狗输入脉冲：大于50ns，手动复位脉冲宽度：大于150ns，手动复位输出延迟：小于100ns，复位输出：高电平有效 √ DIP8 完成研制

7、逻辑与电平

(1) 电平转换器及驱动器

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 B54ACS164245SRHF 多用途双向收发器，转换电平3.3-> 5.0V，5.0-> 3.3V，具备冷备份 √ FP48 服役
2 B54ACS164245SARH 多用途双向收发器，转换电平3.3-> 5.0V，5.0-> 3.3V，具备冷备份，温备份，上电三态保护 √ FP48 完成研制
3 B54AC16245RH 16位三态输出收发器，工作电压：5.0V，驱动能力：24mA √ FP48 完成研制
4 B54LVT162245RH 16位总线收发器，工作电压：3.3V，驱动能力：24mA √ FP48 完成研制
5 B54ALVTH162245RH 16位2.5/3.3V双向驱动器，驱动能力：24mA √ FP48 完成研制
6 B54ALVTH162244RH 16位2.5/3.3V驱动器，驱动能力：8mA √ FP48 完成研制
7 B54ACS164245S 多用途双向收发器，转换电平3.3-> 5.0V，5.0-> 3.3V √ FP48 服役
8 B54ACS164245SCS 小封装多用途双向收发器 -- CSOP48 服役
9 B54LVT162245 16位总线收发器，驱动能力：24mA -- FP48 完成研制

(2) 54AC

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 B54AC00RHD/ B54AC00RHF 四路2输入与非门 √ DIP14/FP14 服役
2 B54AC02RHD/ B54AC02RHF 四路2输入或非门 √ DIP14/FP14 服役
3 B54AC04RHD/ B54AC04RHF 六路反相器 √ DIP14/FP14 服役
4 B54AC08RHD/ B54AC08RHF 四路2输入与门 √ DIP14/FP14 服役
5 B54AC10RHD/ B54AC10RHF 三路3输入与非门 √ DIP14/FP14 服役
6 B54AC11RHD/ B54AC11RHF 三路3输入与门 √ DIP14/FP14 服役
7 B54AC14RHD/ B54AC14RHF 六路施密特触发输入反相器 √ DIP14/FP14 服役
8 B54AC32RHD/ B54AC32RHF 四路2输入或门 √ DIP14/FP14 服役
9 B54AC74RHD/ B54AC74RHF 双路带清零和置位D触发器 √ DIP14/FP14 服役
10 B54AC86RHD/ B54AC86RHF 四路2输入异或门 √ DIP14/FP14 服役
11 B54AC138RHD/ B54AC138RHF 3-8线译码 √ DIP16/FP16 服役
12 B54AC151RHD/ B54AC151RHF 八输入多路复用器 √ DIP16/FP16 服役
13 B54AC161RHD/ B54AC161RHF 异步清除可置位4位二进制计数器 √ DIP16/FP16 服役
14 B54AC244RHD/ B54AC244RHF 八位三态输出缓冲器 √ DIP20/FP20 服役
15 B54AC245RHD/ B54AC245RHF 八位三态输出双向缓冲器 √ DIP20/FP20 服役
16 B54AC273RHD/ B54AC273RHF 八路带清零D触发器 √ DIP20/FP20 服役
17 B54AC299RHD/ B54AC299RHF 八输入通用移位/存储寄存器 √ DIP20/FP20 服役
18 B54AC373RHD/ B54AC373RHF 八位三态输出锁存器 √ DIP20/FP20 服役
19 B54AC374RHD/ B54AC374RHF 三态输出八位D触发器 √ DIP20/FP20 服役
20 B54AC377RHD/ B54AC377RHF 八路带时钟使能D触发器 √ DIP20/FP20 服役
21 B54AC574RHD/ B54AC574RHF 三态输出八位D触发器 √ DIP20/FP20 服役
22 B54AC390RH 高速双十进制计数器 √ DIP16 服役
23 B54AC257RH 三态输出四位二输入多路选择器 √ LCC20 服役
24 B54AC164RHD/ B54AC164RHF 八位串入并出移位寄存器 √ DIP14/FP14 服役
25 B54AC165RHD/ B54AC165RHF 八位并入串出移位寄存器 √ DIP16/FP16 服役
26 B54AC573RH 八位三态输出锁存器 √ DIP20 服役
27 B54AC04D/ B54AC04F 六路反相器 -- DIP14/FP14 服役
28 B54AC14D/ B54AC14F 六路施密特触发输入反相器 -- DIP14/FP14 服役
29 B54AC32D/ B54AC32F 四路2输入或门 -- DIP14/FP14 服役
30 B54AC86D/ B54AC86F 四路2输入异或门 -- DIP14/FP14 服役
31 B54AC245D/ 54AC245F 八位三态输出双向缓冲器 -- DIP20/FP20 服役

(3) 54HC

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 54HC00 四路2输入与非门 √ DIP14 服役
2 54HC04 六路反相器 √ DIP14 服役
3 54HC08 四路2输入与门 √ DIP14 服役
4 54HC10 三路3输入与非门 √ DIP14 服役
5 54HC11 三路3输入与门 √ DIP14 服役
6 54HC123 可再触发双单稳多谐振荡器 √ DIP16 服役
7 54HC125 三态四路缓冲 √ DIP14 服役
8 54HC138 三线对八线译码器 √ DIP16 服役
9 54HC139 双二线对四线译码器 √ DIP16 服役
10 54HC14 六路反相施密特触发器 √ DIP14 服役
11 54HC157 四2选1数据选择器/多路调制器 √ DIP16 服役
12 54HC161 可置位四位同步计数器（异步复位） √ DIP16 服役
13 54HC163 可置位四位同步计数器（同步复位） √ DIP16 服役
14 54HC165 并入串出八位移位寄存器 √ DIP16 服役
15 54HC240 反相输出三态八缓冲驱动器 √ DIP20 服役
16 54HC244 非反相输出三态八缓冲驱动器 √ DIP20 服役
17 54HC245 三态输出八总线收发器 √ DIP20 服役
18 54HC257 三态输出四2选1数据选择器 √ DIP16 服役
19 54HC27 三－3输入或非门 √ DIP14 服役
20 54HC32 四－2输入或门 √ DIP14 服役
21 54HC373 带三态输出的八D锁存器 √ DIP20 服役
22 54HC374 带三态输出的八D触发器 √ DIP20 服役
23 54HC4040 12位异步计数器 √ DIP16 服役
24 54HC640 三态非反相输出八总线收发器 √ DIP20 服役
25 54HC74 双D触发器 √ DIP14 服役
26 54HC86 四－2输入异或门 √ DIP14 服役
27 54HC02 四-2输入或非门 √ DIP14 服役
28 54HC166 并入串出八位移位寄存器 √ DIP16 服役
29 54HC273 带复位的八路D触发器 √ DIP20 服役
30 54HC573 带三态输出的八D锁存器 √ DIP20 服役
31 54HC4514 带输入锁存的4-16线解码器 √ DIP24 服役
32 54HC02 四-2输入或非门 -- DIP14 服役
33 54HC221 不可重复触发双路单稳多谐振荡器 -- DIP16 服役
34 54HC4520 两路四位同步计数器 -- DIP16 服役
35 54HC597 带输出锁存的八位移位寄存器 -- DIP16 服役
36 54HCT04 六反相器 -- DIP14 服役

(4) 54LVC/LVCH

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 B54LVC14RH 施密特反相器 √ DIP14/FP14/LCC20 完成研制
2 B54LVC08RH 四路2输入与门 √ DIP14/FP14/LCC20 完成研制
3 B54LVC74RH 双路带清零和置位D触发器 √ LCC20 完成研制
4 B54LVC138RH 3-8线译码器 √ DIP16/FP16/LCC20 完成研制

(5) C4000

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 C4067 16选1模拟开关 √ D24L2、J24M2 服役
2 C4000 双3输入或非门加反相器 -- D14、J14、F14 服役
3 CC4001 四2输入或非门 -- D14、J14、F14 服役
4 CC4002 双4输入或非门 -- D14、J14、F14 服役
5 CC4011 四2输入与非门 -- D14、J14、F14 服役
6 CC4013 双D触发器 -- D14、J14、F14 服役
7 CC4015 双4级静态移位寄存器 -- D16、J16、F16 服役
8 C4017 有10个译码输出端的十进制计数器 -- D16、J16、F16 服役
9 C4022 八进制计数器/分频器 -- D16、J16、F16 服役
10 CC4025 三3输入或非门 -- D14、J14、FP14A 服役
11 CC4023 三3输入与非门 -- D14、J14、F14 服役
12 C4040 12级二进制串行计数器 -- D16、J16、F16 服役
13 C4043 四R-S锁存器 -- D16、J16、F16 服役
14 CC4050 六同相缓冲变换器 -- D16、J16、F16 服役
15 CC4052 双4选1模拟开关 -- D16、J16、F16 服役
16 C4051 8选1模拟开关 -- D16、J16、F16 服役
17 C4060 14级二进制串行计数器 -- D16、J16、F16 服役
18 CC4066 四双向开关 -- D14、J14、F14 服役
19 C4069 六反相器 -- D14、J14、F14 服役
20 C4070 四2输入异或门 -- D14、J14、F14 服役
21 C4071 四2输入或门 -- D14、J14、F14 服役
22 C4072 双4输入或门 -- D14、J14、F14 服役
23 C4073 三3输入与门 -- D14、J14、F14 服役
24 C4077 四2输入异或非门 -- D14、J14、F14 服役
25 C4081 四2输入与门 -- D14、J14、F14 服役
26 C4082 双4输入与门 -- D14、J14、F14 服役
27 C4098 可重触发/可复位双单稳多谐振荡器 -- D16、J16、F16 服役
28 CC4504 六电平转换器 -- D16、J16、F16 服役
29 CC4520 双二进制加法计数器 -- D16、J16、F16 服役
30 C40106 六反相器（施密特触发） -- D14、J14、F14 服役
31 CC40109 四CMOS电平转换器 -- D16、J16、F16 服役
32 CC4538 精密双单稳辐射加固电路 -- D16、J16、F16 服役

8、时钟与射频

(1) 频率合成器

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 B4350 输出频率范围：137.5MHz 到4400MHz；小数-N 频率综合器和整数-N频率综合器；低相位噪声VCO；可编程输出电平；电源电压：3.0V至3.6V；功耗：130mA -- QFN32L 服役
2 B4106 工作频率：500MHz-6000MHz；可编程双模预分频器：8/9, 16/17，32/33, 64/65；电源电压：3.0V到3.6V -- TSSOP16 服役
3 B4106RH 工作频率：500MHz-5800MHz；可编程双模预分频器：8/9, 16/17,32/33, 64/65；电源电压：3.0V到3.6V √ FP16 完成研制
4 B7101MQRH 工作频率：100MHz-5000MHz；可编程双模预分频器：8/9, 16/17,32/33；电源电压：3.0V到3.6V √ CQFP48 完成研制
5 B4360-7 输出频率范围：350MHz 到1800MHz；整数-N频率综合器；低相位噪声VCO；可编程输出电平；电源电压：3.0V至3.6V；功耗：25mA -- QFN24 完成研制
6 B4360-8 输出频率范围：65MHz 到400MHz；整数-N频率综合器；低相位噪声VCO；可编程输出电平；电源电压：3.0V至3.6V；功耗：20-40mA -- QFN24 完成研制
7 B4360-9 输出频率范围：1.1MHz 到200MHz；整数-N频率综合器；低相位噪声VCO；可编程输出电平；电源电压：3.0V至3.6V；功耗：20-40mA -- QFN24 完成研制

(2) 跨阻放大器

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 B3275RH 数据速率：最高2.125Gbps（NRZ）；1.6GHz带宽内输入参考噪声电流：450mARMS；电源电压：3.0V到3.6V √ Dice 完成研制

(3) 时钟驱动器

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 B49FCT805RH 一路输入，五路输出（两组，可扩展至十路输出），低时钟偏移：<700ps；TTL兼容输入/输出；高驱动能力：-24mA IOH，64mAIOL；电源电压：3.3-5V √ 20-SOIC /DIP /SSOP 完成研制

(4) 时钟发生器

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 B307 输出频率范围：10MHz 到200MHz；含VCO、PFD、CP、分频器、三线串口等；输入晶振频率：5-27MHz；低抖动：50ps；输出上升/下降时间：1ns；电源电压：3.3V -- 16-SOIC 完成研制

9、微波开关

(1) 单刀双掷微波开关

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 MS12TL-313S-02 射频接口形式：TNC；工作频段：1~3(GHz)；
工作温度：-25~75℃；电压驻波比：≤1.15
插入损耗：≤0.1dB；隔离度：﹥70dB 		√ Metallic 服役

(2) 双刀双掷微波开关

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 MS22SKu-321S-01 射频接口形式：SMA；工作频段：DC~2(GHz)；工作温度：-25~75℃；电压驻波比：≤1.10；插入损耗：≤0.08dB；隔离度：﹥65dB √ Metallic 服役

(3) T型同轴微波开关

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 MS11TS-331S-02 射频接口形式：TNC；工作频段：1~3(GHz)；工作温度：-25~75℃；电压驻波比：≤1.2；插入损耗：≤0.1dB；隔离度：﹥60dB √ Metallic 服役

(4) 波导开关

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 MSC34Ka-341S-01 工作频段：25.0~26.5(GHz)；工作温度：-20~60℃；电压驻波比：≤1.15；插入损耗：≤0.15dB；隔离度：﹥55dB √ Metallic 服役

10、卫星导航应用

(1) 基带芯片

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 BM3005MQ 北斗RDSS基带处理芯片，接收灵敏度-157.6dBW，首捕获时间≤2s，失锁重捕时间≤1s -- LQFP64 服役
2 BM3009MQ 北斗B3_B1/L1基带处理芯片，支持北斗B3/B1、GPS-L1频点信号，捕获灵敏度-133dBm -- LQFP144 ?完成研制
3 BM3013IE 多模导航型基带芯片，支持北斗/GPS联合定位，定位精度优于5m -- QFN64 服役

(2) 射频接收器

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 BM3015ME 北斗多通道射频前端芯片，支持B1/B3、GPS L1/B3、GLON L1/B3或GPS L1/L2信号 -- QFN48 完成研制

11、高压开关

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 1JB60-1 正弦振动: 10~2000Hz,196m/s2；冲击: 75g, 11ms
接触电阻: @Rated Current ≤0.8mΩ
触点额定负载: 110V/60A
电寿命:85℃，15000Cycles
工作温度: -55~85℃ 		√ 金属陶瓷钎焊封装 完成研制
2 1JB100-1 正弦振动: 10~2000Hz,196m/s2；冲击: 75g, 11ms
接触电阻: @Rated Current ≤0.5mΩ
触点额定负载: 110V/100A
电寿命:85℃，15000Cycles
工作温度: -55~85℃ 		√ 完成研制
3 1JB150-1 正弦振动: 10~2000Hz,196m/s2；冲击: 75g, 11ms
接触电阻: @Rated Current ≤0.3mΩ
触点额定负载: 270V/150A
电寿命:85℃，15000Cycles
工作温度: -55~85℃ 		√ 完成研制
4 1JB200-1 正弦振动: 10~2000Hz,196m/s2；冲击: 75g, 11ms
接触电阻: @Rated Current ≤0.3mΩ
触点额定负载: 110V200A
电寿命:85℃，15000Cycles
工作温度: -55~85℃ 		√ 完成研制
5 1JT20-1 正弦振动: 10~2000Hz,196m/s2；冲击: 75g, 11ms
接触电阻: @Rated Current ≤3mΩ
触点额定负载: 330V/20A
电寿命:85℃，15000Cycles
工作温度: -55~85℃ 		√ 完成研制
6 1JT100-1 正弦振动: 10~2000Hz,196m/s2；冲击: 75g, 11ms
接触电阻: @Rated Current ≤2mΩ
触点额定负载: 330V/100A
电寿命:85℃，15000Cycles
工作温度: -55~85℃ 		√ 完成研制

12、高可靠及功率半导体器件

(1) 二极管

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 2CZ5807 (US) 玻璃封装快恢复二极管，击穿电压55V,恢复时间≤30ns √ 玻璃同轴封装
/玻璃表贴封装 		完成研制
2 2CZ5809 (US) 玻璃封装快恢复二极管，击穿电压110V, 恢复时间≤30ns √ 完成研制
3 2CZ5811 (US) 玻璃封装快恢复二极管，击穿电压160V，恢复时间≤30ns √ 完成研制
4 2CZ5802 (US) 玻璃封装快恢复二极管，击穿电压55V,恢复时间≤25ns √ 完成研制
5 2CZ5804 (US) 玻璃封装快恢复二极管，击穿电压110V,恢复时间≤25ns √ 完成研制
6 2CZ5806 (US) 玻璃封装快恢复二极管，击穿电压160V,恢复时间≤25ns √ 完成研制
7 2CZ5615 (US) 玻璃封装快恢复二极管，击穿电压220V,恢复时间≤150ns √ 完成研制
8 2CZ5415 (US) 玻璃封装快恢复二极管，击穿电压55V,恢复时间≤150ns √ 完成研制
9 2CZ5416 (US) 玻璃封装快恢复二极管，击穿电压110V,恢复时间≤150ns √ 完成研制
10 2CZ5417 (US) 玻璃封装快恢复二极管，击穿电压220V,恢复时间≤150ns √ 完成研制
11 2CZ5418 (US) 玻璃封装快恢复二极管，击穿电压440V,恢复时间≤150ns √ 完成研制
12 SDR1N 玻璃封装快恢复二极管，击穿电压1100V,恢复时间≤80ns -- 在研
13 1N4148 玻璃封装快恢复二极管，击穿电压100V -- 玻璃同轴封装 完成研制
14 1N6642 玻璃封装快恢复二极管，击穿电压100V -- 完成研制
15 B10D20T 高压功率快恢复二极管，击穿电压200V -- TO系列封装
/模块系列封装 		完成研制
16 B50D20C 高压功率快恢复二极管，击穿电压200V -- 完成研制
17 B16D60ST 高压功率快恢复二极管，击穿电压600V -- 完成研制
18 B30D60SB 高压功率快恢复二极管，击穿电压600V -- 完成研制
19 B100D60C 高压功率快恢复二极管，击穿电压600V -- 完成研制
20 B11D120B 高压功率快恢复二极管，击穿电压1200V -- 完成研制
21 B15D120SB 高压功率快恢复二极管，击穿电压1200V -- 完成研制
22 B28D120SC 高压功率快恢复二极管，击穿电压1200V -- 完成研制

(2) 三极管

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 3DK3500 双极晶体管 √ TO-39 完成研制
2 3DK3501 双极晶体管 √ TO-39 完成研制
3 3DK2222A 双极晶体管 √ TO-18 完成研制
4 3DK2219A 双极晶体管 √ TO-39 完成研制
5 2N3700 双极晶体管 √ TO-18 完成研制
6 2N5154 双极晶体管 √ TO-39 完成研制
7 2N5665 双极晶体管 √ TO-66 完成研制
8 2N5667 双极晶体管 √ TO-39 完成研制
9 2N5108 微波功率管 √ TO-39 完成研制
10 2N5109 微波功率管 √ TO-39 完成研制
11 3DA502 微波功率管 -- 陶瓷封装 完成研制

13、场效应管

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 LCS7587U3RH BVDSS≥100V，ID≥22A,RDSON≤0.042Ω √ SMD-0.5 完成研制
2 LCS7587T3RH BVDSS≥100V，ID≥20A,RDSON≤0.042Ω √ TO-257AA 完成研制
3 LCS7591U3RH BVDSS≥200V，ID≥16A,RDSON≤0.13Ω √ SMD-0.5 完成研制
4 LCS7591T3RH BVDSS≥200V，ID≥16A,RDSON≤0.13Ω √ TO-257AA 完成研制
5 LCS7583U2RH BVDSS≥200V，ID≥56A,RDSON≤0.028Ω √ SMD-2 完成研制
6 LCS7583T1RH BVDSS≥200V，ID≥45A,RDSON≤0.029Ω √ TO-254AA 完成研制
7 LCS7469T1RH BVDSS≥100V，ID≥75A,RDSON≤0.014Ω √ TO-254AA 完成研制
8 LCS7469U2RH BVDSS≥100V，ID≥45A,RDSON≤0.012Ω √ SMD-2 完成研制
9 LCS7262U3RH BVDSS≥200V，ID≥9.4A,RDSON≤0.4Ω √ SMD-0.5 完成研制
10 LCS7262T2RH BVDSS≥200V，ID≥5.5A,RDSON≤0.35Ω √ TO-39 完成研制
11 LCS7269U1RH BVDSS≥200V，ID≥26A,RDSON≤0.1Ω √ SMD-1 完成研制
12 LCS7269AU1RH BVDSS≥200V，ID≥26A,RDSON≤0.1Ω √ SMD-1 完成研制
13 LCS7269T1RH BVDSS≥200V，ID≥26A,RDSON≤0.1Ω √ TO-254AA 完成研制
14 LCS7450T1RH BVDSS≥500V，ID≥12A,RDSON≤0.51Ω √ TO-254AA 完成研制
15 LCS7450U1RH BVDSS≥500V，ID≥12A,RDSON≤0.51Ω √ SMD-1 完成研制
16 LCS7394U1RH BVDSS≥60V，ID≥35A,RDSON≤0.03Ω √ SMD-1 在研
17 LCS7394T1RH BVDSS≥60V，ID≥35A,RDSON≤0.03Ω √ TO-254AA 在研
18 LCS7464T2RH BVDSS≥500V，ID≥2.5A,RDSON≤1.77Ω √ TO-39 在研
19 LCS7390T2RH BVDSS≥200V，ID≥-4.0A,RDSON≤0.8Ω √ TO-39 完成研制
20 LCS7383T3RH BVDSS≥200V，ID≥-6.5A,RDSON≤0.8Ω √ TO-257AA 完成研制
21 LCS7426T1RH BVDSS≥200V，ID≥-27A,RDSON≤0.16Ω √ TO-254AA 完成研制
22 LCS7382T3RH BVDSS≥100V，ID≥-11A,RDSON≤0.3Ω √ TO-257AA 完成研制
23 LCS7382U3RH BVDSS≥100V，ID≥-11A,RDSON≤0.29Ω √ SMD-0.5 完成研制
24 LCS7382T2RH BVDSS≥100V，ID≥-6.5A,RDSON≤0.3Ω √ TO-39 完成研制
25 LCS7391T1RH BVDSS≥400V，ID≥22A,RDSON≤0.2Ω √ TO-254AA 在研
26 CS7262 BVDSS≥200V，ID≥5.5A,RDSON≤0.35Ω √ TO-39 完成研制
27 CS7262U BVDSS≥200V，ID≥5.5A,RDSON≤0.35Ω √ LCC18 完成研制
28 CS7230 BVDSS≥200V，ID≥9A,RDSON≤0.4Ω √ TO-254AA 在研
29 CSN7250 BVDSS≥200V，ID≥26A,RDSON≤0.11Ω √ SMD-1 完成研制
30 CSNA7260 BVDSS≥200V，ID≥43A,RDSON≤0.077Ω √ SMD-2 完成研制
31 CSM7260 BVDSS≥200V，ID≥35A,RDSON≤0.077Ω √ TO-254AA 完成研制
32 CSHY57034 BVDSS≥60V，ID≥18A,RDSON≤0.040Ω √ TO-257AA 在研

14、继电器

(1) 直流固态继电器

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 4JG4-1 瞬态电压：60Vd.c.；输出电流：4A/路；输出组数：4；开通时间：＜100μs；关断时间：＜100ms；抗过载能力强 -- 金属密封 在研
2 RH1JG2-5 1组2A负载；输入、输出变压器隔离；功率MOSFET输出；抗过载能力强 √ 金属电阻焊 在研
3 4JG7-1B 4组7A负载；输入、输出变压器隔离；功率MOSFET输出；抗过载能力强 -- 金属激光封焊 完成研制

(2) 光-MOS继电器

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 JGW-3M 1组800mA负载；AC/DC输出；输入输出光伏隔离 -- DIP/SMD-8 完成研制
2 JGW-3011 1组1A负载；AC/DC输出；输入输出光伏隔离 -- DIP/SMD-6 完成研制
3 JGW-3019 1组500mA负载；AC/DC输出；输入输出光伏隔离 -- DIP/SMD-4 完成研制
4 JGW-3023 2组500mA负载；AC/DC输出；输入输出光伏隔离 -- DIP/SMD-8 完成研制
5 JGW-3031 4组500mA负载；AC/DC输出；输入输出光伏隔离 -- DIP/SMD-16 完成研制

(3) 电磁继电器

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 JQC-1010M 1组转换触点，触点负载10A/28Vd.c.；体积：20.6×10.5×16.3 √ 熔焊密封 完成研制
2 JQC-1110M 1组转换触点，触点负载10A/28Vd.c.；体积：20.6×10.5×16.3；线圈带瞬态抑制 √ 完成研制
3 JQC-2005M 2组转换触点，触点负载5A/28Vd.c.；体积：20.6×10.5×16.3 √ 服役
4 JQC-2105M 2组转换触点，触点负载5A/28Vd.c.；体积：20.6×10.5×16.3；线圈带瞬态抑制 √ 完成研制
5 2JB5-1 磁保持继电器，2组转换触点，触点负载5A/28Vd.c.；体积：20.6×10.5×16.3 √ 服役
6 JQC-3010M 3组转换触点，触点负载10A/28Vd.c.；体积：20.6×20.6×16.3 √ 完成研制
7 JQC-3110M 3组转换触点，触点负载10A/28Vd.c.；体积：20.6×20.6×16.3；线圈带瞬态抑制 √ 完成研制
8 JMC-3010M 磁保持继电器，3组转换触点，触点负载10A/28Vd.c.；体积：20.6×20.6×16.3 √ 完成研制
9 JQX-2010M 2组转换触点，触点负载10A/28Vd.c.；体积：26×13.5×26 √ 服役
10 JQX-2110M 2组转换触点，触点负载10A/28Vd.c.；体积：26×13.5×26；线圈带瞬态抑制 √ 服役
11 JQX-1025M 1组转换触点，触点负载25A/28Vd.c.；体积：26×13.5×26 √ 完成研制
12 JQX-1125M 1组转换触点，触点负载25A/28Vd.c.；体积：26×13.5×26；线圈带瞬态抑制 √ 完成研制
13 JMX-1025M 磁保持继电器，1组转换触点，触点负载25A/28Vd.c.；体积：26×13.5×26 √ 完成研制
14 2JB15-1 磁保持继电器，2组转换触点，触点负载15A/28Vd.c.；体积：26×13.5×26 √ 服役
15 2JB10-3 磁保持继电器，2组转换触点，触点负载10A/28Vd.c.；体积：26×13.5×26 √ 服役
16 JQX-4010M 4组转换触点，触点负载10A/28Vd.c.；体积：26×26×26 √ 完成研制
17 JQX-4110M 4组转换触点，触点负载10A/28Vd.c.；体积：26×26×26。线圈带瞬态抑制 √ 完成研制
18 JMX-4010M 磁保持继电器，4组转换触点，触点负载10A/28Vd.c.；体积：26×26×26 √ 完成研制
19 JMX-4015M 磁保持继电器，4组转换触点，触点负载15A/28Vd.c.；体积：26×26×26 √ 服役
20 2JT2-3 1/5晶体罩外形，两组转换触点，额定负载2A/28Vd.c. -- 激光焊 服役
21 2JT5-2 1/2晶体罩外形，两组转换触点，额定负载5A/28Vd.c. -- 服役
22 2JT10-3 1/2晶体罩外形，两组转换触点，额定负载10A/28Vd.c. -- 服役
23 2JB2-1 1/2晶体罩外形，磁保持型，两组转换触点，额定负载2A/28Vd.c. √ 服役
24 4JL2-1 1/2晶体罩外形，4组转换触点，额定负载2A/28Vd.c. -- 服役
25 4JB2-2 1/2晶体罩外形，磁保持型， 4组常开触点，额定负载2A/28Vd.c. -- 服役
26 6JT2-1 1/2晶体罩外形，6组转换触点，额定负载2A/28Vd.c. -- 服役
27 2JT1-910 圆形密封电磁继电器，两组转换触点，额定负载1A/28Vd.c.，外形：Ф8.51x7.11。 √ 熔焊密封 服役
28 2JT1-912 圆形密封电磁继电器，带瞬态抑制和极性防反功能，两组转换触点，额定负载1A/28Vd.c.，外形：Ф8.51x7.11。 -- 完成研制
29 2JB1-910 圆形密封磁保持继电器，两组转换触点，额定负载1A/28Vd.c.，外形：Ф8.51x7.11。 √ 服役
30 2JB1-911M2 圆形密封磁保持继电器，表贴式安装，带瞬态抑制功能，两组转换触点，额定负载1A/28Vd.c.，外形：Ф8.51x7.11。 √ 完成研制
31 2JT1-920 方形密封电磁继电器，两组转换触点，额定负载1A/28Vd.c.，外形8.51x 8.51x7.11。 -- 完成研制
32 2JT1-940 方形密封电磁继电器，两组转换触点，额定负载1A/28Vd.c.，外形：8.51x 8.51x9.53。 -- 完成研制
33 2JT1-942 方形密封电磁继电器，，带瞬态抑制功能，两组转换触点，额定负载1A/28Vd.c.，外形：8.51x 8.51x11。 -- 完成研制
34 2JT2-910 圆形密封电磁继电器，两组转换触点，额定负载2A/28Vd.c.，外形：Ф8.51x7.11。 -- 完成研制

(4) 隔离驱动模块

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 MD510 控制信号电压：5V；驱动输出电压：9.5V~13V；低功耗：≤0.12W；输入输出隔离电压：600Vr.m.s；工作温度：-40~125℃ -- -- 在研

15、连接器

(1) 微矩形电连接器

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 J29A 绞线式弹性插针；接触件间距1.91mm×1.65mm；两排有9、15、21、25、31、37六种芯数，三排有51、66两种芯数；额定电流5A；接触电阻≤10mΩ；介质耐电压1500VDC -- 胶封 完成研制
2 J30 绞线式弹性插针；接触件间距1.27mm×1.1mm；两排有9、15、21、25、31、37六种芯数，三排有51一种芯数；额定电流3A；接触电阻≤10mΩ；介质耐电压800VAC -- 胶封 完成研制
3 J30J 绞线式弹性插针；接触件间距1.27mm×1.1mm；两排有9、15、21、25、31、37六种芯数，三排有51、66两种芯数，四排有74、100、144三种芯数；额定电流3A；接触电阻≤10mΩ；介质耐电压800VAC -- 胶封 服役

(2) 超微矩形电连接器

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 J63A 绞线式弹性插针；接触件密度高，接触件间距0.635mm×1.016mm；两排有9、15、21、25、31、37、51、65八种芯数；额定电流1A；接触电阻≤21mΩ；介质耐电压250VAC；
性能符合MIL-DTL-32139A		 -- 胶封 服役

16、光学器件

序号 型号名称 产品描述 成熟度
1 光纤耦合器 采用特殊的单模/ 保偏光纤和强熔拉锥工艺制备的2×2 保偏光纤耦合器，能够将偏振光分成偏振态与输入光相同的两束光，并可根据要求制备成任意分光比。
分光比：5/95-50/50%; 消化比：≥18dB; 偏振相关损耗：≤0.10dB 		服役
2 光纤反射镜 工作波长：1310/1550nm；工作带宽：±40nm；反射率：≥95.0％；尾纤偏振串音：≤-20.0dB；温度相关损耗：≤0.10dB；光损伤阈值：300mW；最大拉伸强度：5.0N 服役
3 LiNbO3 电光调制器件 利用LiNbO3 晶体的电光效应，辅以合适的电极结构实现0~40GHz 的相位调制，通过退火质子交换工艺或Ti 扩散制作工艺实现器件的单偏振或偏振无关传输；通过不同的波导结构实现分/ 合束功能、相位/ 强度调制。 工作波长：1310/1550nm；调制带宽：≥300MHz；残余强度调制：<0.2% 服役
4 光电探测器 光谱响应范围：900 ～ 1700nm；跨阻抗：500±0.5kΩ；响应度：0.45V/μW(1310nm)，0.47V/μW(1550nm)；带宽：≥8.0MHz；噪声：≤0.50mV， ≤0.70mV；动态范围：≥25dB；灵敏度：≤-50dBm；反射损耗：≥25dB 服役

17、硅基传感器

(1) 硅微陀螺仪

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 BMG01-10 测量范围±10°/s，标度因子256 LSB°/s -- CLCC36 完成研制
2 BMG01-200 测量范围±200°/s，标度因子64 LSB°/s -- CLCC36 完成研制
3 BMG02-4K 测量范围±4000°/s，标度因子4 LSB°/s -- CLCC36 完成研制
4 BMG02-9K 测量范围±9000°/s，标度因子2 LSB°/s -- CLCC36 完成研制
5 BMG11-10 测量范围±10°/s，标度因子512 LSB°/s -- CLCC36 在研

(2) 硅微加速度计

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 BMA01-10 测量范围±10g，零偏稳定性≤0.5mg -- CLCC36 在研
2 BMA01-30 测量范围±30g，零偏稳定性≤1mg -- CLCC36 在研
3 BMA01-50 测量范围±50g，零偏稳定性≤2mg -- CLCC36 在研
4 BMA01-100 测量范围±100g，零偏稳定性≤5mg -- CLCC36 在研

(3) 冲击加速度计

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 BMS01-30K 测量范围±30000g，分辨率10g -- TO263-5 在研
2 BMS01-50K 测量范围±50000g，分辨率50g -- TO263-5 在研
3 BMS01-100K 测量范围±100000g，分辨率100g -- TO263-5 在研
4 BMS01-150K 测量范围±150000g，分辨率1000g -- TO263-5 在研

(4) 压力传感器

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 BMP01 测量范围0.7/1.7/3.5/5/7/10MPa，精度≤±2.0%FS@（-40～125℃） -- -- 完成研制
2 BMP04 测量范围0.04 MPa，精度±0.25%FS -- -- 完成研制

(5) 热式流量传感器

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 BMF01-1 加热电阻0.60kΩ，参考电阻1.53kΩ，测量电阻4.78kΩ -- (可定制的) 在研
2 BMF01-2 加热电阻1.30kΩ，参考电阻3.57kΩ，测量电阻20.4kΩ -- 在研

(6) 热导率真空压力计

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 封装 成熟度
1 BMF04-1 参考电阻300Ω，测量电阻150Ω -- TO5 在研
2 BMF04-2 参考电阻1370Ω，测量电阻560Ω -- TO5 在研

18、高频电缆组件

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 成熟度
1 Z-AFB142A-2.92-JM36/
2.92-JM36-L-F		 频率范围: DC~40(GHz)
绝缘电阻: ≥5000MΩ
电压驻波比: 1.25max(DC~26.5GHz)
1.30max(26.5~32GHz)
1.35max(32~40 GHz)
工作温度: -55~+85℃ 		√ 服役
2 Z-AFB142A-SMA-JM36/
SMA-JM36-L-F		 频率范围: DC~18(GHz)
绝缘电阻: ≥5000MΩ
电压驻波比: 1.15max(DC~3GHz)
1.25max(3~8GHz)
1.35max(8~18 GHz)
工作温度: -55~+85℃ 		√ 服役
3 Z-AFB205A-2.92-JM52/
2.92-JM52-L-X		 频率范围: DC~26.5(GHz)
绝缘电阻: ≥5000MΩ
电压驻波比: 1.20max(DC~18GHz)
1.25max(18~22GHz)
1.30max(22~26.5 GHz)
工作温度: -55~+85℃ 		√ 服役
4 Z-AFB205A-SMA-JM52/
SMA-JM52-L-X		 频率范围: DC~18(GHz)
绝缘电阻: ≥5000MΩ
电压驻波比: 1.15max(DC~3GHz)
1.20max(3~8GHz)
1.30max(8~18 GHz)
工作温度: -90~+90℃ 		√ 服役
5 Z-AFB205A-TNC-JWM52/
TNC-JWM52-L-X		 频率范围: DC~11(GHz)
绝缘电阻: ≥5000MΩ
电压驻波比: 1.20max(DC~3GHz)
1.37max(3~11GHz)
工作温度: -90~+90℃ 		√ 服役
6 Z-AFB311A-SMA-JM79/
SMA-JWM79-L-X		 频率范围: DC~11(GHz)
绝缘电阻: ≥5000MΩ
电压驻波比: 1.15max(DC~3GHz)
1.30max(3~11 GHz)
工作温度: -90~+90℃ 		√ 服役
7 Z-AFB311A-TNC-JM792/
TNC-JM792-L-X		 频率范围: DC~5(GHz)
绝缘电阻: ≥5000MΩ
电压驻波比: 1.21max(DC~3GHz)
1.25max(3~5GHz)
工作温度: -65~+125℃ 		√ 服役

19、姿态控制组件

(1) 陀螺仪

序号 型号名称 产品描述 成熟度
1 机电式陀螺仪 用以检测运动载体的角速度和角度增量，具有结构简单、功耗低、中等测量精度、成本低等特点。目前已经形成不同精度系列化产品。 服役
2 激光陀螺仪 基于Sagnac 效应的新型惯性仪表，转速与正反两束激光的频率差成正比。产品具有高精度、高可靠、长寿命、环境适应性强等优点，已形成二频机抖（RLG30、RLG50、RLG90）、空间四频等系列工程化产品。 服役
3 光纤陀螺仪 基于Sagnac 效应的全固态惯性仪表，用于测量载体的角速度和角位移。经过多年技术研发和应用牵引，目前已形成具有自主知识产权的低、中、高精度、精密级单轴、三轴一体全数字闭环光纤陀螺仪系列产品。 服役
4 磁悬浮飞轮 是三轴稳定卫星的核心关键技术，具有无需消耗工质、控制力矩精度高的优点，已达到工程研制水平，产品实现了与整星联调，在轨性能测试、考核，具备卫星应用条件。 服役
5 磁悬浮控制力矩陀螺 具有力矩输出放大倍数大、动态性能好等优点，是空间站、大型对地观测卫星等大型航天器要求大力矩姿态控制执行机构的首选方案，已形成系列化产品。 服役

(2) 加速度计

序号 型号名称 产品描述 成熟度
1 石英挠性加速度计 采用熔融石英和与之配合的低膨胀合金组合而成，集机械结构和伺服控制电路于一体。可用于位移、速度、加速度及角度等物理量的测量， 目前已经形成SNJ-6000、SNJ-5100、SNJ-4200、SNJ- 1000、SZH 等系列产品，具有年产上万只石英挠性加速度计的生产能力。 服役

20、导航及测量系统

序号 型号名称 产品描述 成熟度
1 挠性捷联航姿系统 通过内部挠性惯性仪表（陀螺仪及加速度计）敏感载体的转动角速率和视加速度信息，通过内嵌计算机高速实时计算出载体的姿态、航向、速度和位置信息，同时接受GPS 信息进行组合导航滤波， 最终给出最优化的导航结果。 服役
2 激光陀螺导航系统 用于载体运动轨迹的测量，实时测量载体的航向、姿态、角速度、速度、加速度等信息，具有较高的产品可靠性及使用精度。 完成研制
3 旋转式激光陀螺测量系统 由惯性导航部件、UPS 电源和安装底板三部分组成，具有海上动态对准、持续校准、高精度姿态测量、高精度垂直位移、升沉信息测量和海洋环境适应性好等特点。 完成研制
4 光纤陀螺定位定向系统 具有自寻北功能，能输出真北方位基准和姿态基准。系统具有导航功能，可工作在纯惯导模式或组合导航模式（GPS、里程计）， 提供载体的航向、姿态、速度和位置等导航信息。同时在长时间导航工作状态时，系统具有零速修正功能，可提高系统长时间导航精度水平。 完成研制
5 光纤陀螺寻北仪 利用光纤陀螺测量地球自转角速度在敏感轴上的分量， 解算出方位角，完成载体的寻北定向工作。兼顾寻北时间和寻北精度两方面要求，产品精度可以满足不同的应用需求。 服役
6 MEMS组合导航系统 采用多传感器误差补偿和滤波技术，实时而精确提供载体的姿态、位置、时间、速度、高度等导航信息，同时可输出卫星导航及传感器的原始数据，供用户离线处理。可满足多种载体的导航、测量、控制等要求，该系统可根据需要选配里程计、高度计、风速计、磁传感器等进行算法融合。 服役
7 重力测量仪 以高精度石英加速度计为重力测量元件，与高精度激光捷联定位定向系统一体化集成的精密测量仪器产品，可在飞机、舰船等运动载体上实现对地球重力场连续观测。 服役

21、电池

(1) 砷化镓太阳电池

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 成熟度
1 SC-3GA-3 三结砷化镓太阳电池片，批产转换效率达30% √ 服役
2 SC-3GA-4 三结砷化镓太阳电池片，批产转换效率达32% √ 服役
3 SAP100a 1U立方星用砷化镓太阳电池体装板，顶/底板，可定制 √ 服役
4 SAP101a 1U立方星用砷化镓太阳电池体装板，侧板，可定制 √ 服役
5 SAP201a 2U立方星用砷化镓太阳电池体装板，侧板，可定制 √ 服役
6 SAP301a 3U立方星用砷化镓太阳电池体装板，侧板，可定制 √ 服役
7 SAP601a 6U立方星用砷化镓太阳电池体装板，侧板，可定制 √ 服役

(2) 锂离子蓄电池

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 成熟度
1 INP30 额定容量：30Ah
初始容量：≥36.0 Ah
工作电压：3.0~4.1V
比能量：170Wh/kg
循环寿命：LEO:8a（DOD≤20%）；GEO：18a（DOD≤80%） 		√ 完成研制
2 INP45 额定容量：45h
初始容量：≥50.0 Ah
工作电压：3.0~4.1V
比能量：180Wh/kg
循环寿命：LEO:8a（DOD≤20%）；GEO：18a（DOD≤80%） 		√ 服役

(3) 热电池

序号 型号名称 产品描述 抗辐射 成熟度
1 长寿命热电池技术平台 典型指标：1500~5190s / 服役
2 中高功率热电池技术平台 10~30kW / 服役
3 高比能量热电池技术平台 60~100Wh/kg / 服役
4 高压热电池技术平台 160~450V / 服役
5 低热辐射热电池技术平台 +15~+60℃（温升） / 服役
6 小功率、快激活热电池技术平台 0.1~0.3s / 服役
7 高温环境热电池技术平台 400~500℃ / 服役

备注：
抗辐射："√"意为抗辐射，"--"意为非抗辐射